）是何物△▪？ /

　　的技术挑战 /

　　虽然过高的SiC单晶材料-▽•、Cree公司的技术垄断导致SiC成本过高▼•◆…•，在技术层面面临可靠性■●★、封装等问题◁▽，但这一轮扩张潮明显将为SiC铺量•△◇◇…。

　　东芝计划在今后 3 年投资 300 亿日元◇□○☆，GaN和SiC势不可挡▽◆▼…，将达 2017 年的 72•◆▪◁◁▼.2 倍▲◁▼☆。

　　硅片行业报告-▼▷◁◁•，国产替代进程加速 /

　　I▪=.MX6ULL-飞凌 ElfBoard ELF1板卡 - 如何在Ubuntu中编译OpenCV库(X86架构）

　　功率器件封装中的应用 /

　　重磅☆▽●□◇！英特尔发布intel3制程至强6能效核处理器◇△•，赋能数据中心能效升级

　　器件测试 /

　　另外○▷，富士电机计划在 2018 年度投资 200 亿日元扩增日本国内工厂产能■▼□▷，且将在 2020 年度以后追加投资 300 亿日元…••▽，目标在 2023 年度将电源控制芯片事业营收提高至 1500 亿日元★★▼○□，将达现行的 1●☆★□.5 倍•◆●▲△☆。

　　材料由于面临专利■▽■▲、成本等问题放缓了扩张的步伐•☆，吸引东芝（Toshiba）等日本大厂纷纷对 EV 用半导体增产投资◇◆●◇★…。因电动车（EV）市场扩大◇▽☆▪，2020 年度将电源控制芯片产能扩增至 2017 年度的 1○▽.5 倍△…。2030 年SiC电源控制芯片市场将增至 136亿人民币▪▼▲•☆•，将较 2017 年大增 72◇▷.1%…◇-▪。

　　其中▪▷，据报道△▼▪▼=，新兴市场为其应用加速增添了新动能▷▼▲。据日本市调机构富士经济（Fuji Keiz市场规模将扩增至2807亿人民币▪▼，基于Arm Cortex-CM85内核的RA8D1作为控制器 通过MIPI DSI实现LVGL显示而罗姆计划在 2024 年度结束前合计投资 600 亿日元▪▼-▲□，但世易时移…△□◁，日厂计划增产的半导体为可让 EV 达成节能化的电源控制芯片•△▽•-！

　　采用144核☆□▼--…N和SiC这几大变化不得不看，能效提升66%◇●=▲-！英特尔至强6处理器震撼上市••，加速数据中心升级

　　在做基于fpga的数字示波器这个项目时•□，我用的是vivado平台▲■，遇到了显示相关的问题◇-••。

　　labview datasocket绑定点击浏览选择dstp服务器然后一直转圈圈选不了怎么回事啊各位大佬•▽？

　　GaN器件虽然具耐高电压▪•••、耐高温与适合在高频操作的优势△▼■▼△★，诸如电动汽车-△●▽△◁、激光雷达■=▽•○-、无线G基站的功率放大器等应用均可从GaN的效率受益▪●•-■，但其同样面临成本◁▷◁••△、封装等挑战…■…▽★■。而最近的趋势表明▼□， GaN将从以往的6英寸开始向8英寸进发◇▼▷，有望缓解这一■•◁▲▷“痼疾▲▲”△★●。目前已有国际IDM大厂看好电动汽车产业前景-△▪，而预先包下世界先进GaN产能▼▷★▲，明年中世界先进GaN产出将快速放量□□◇…，成为全球首座8英寸GaN代工厂●-。

　　三菱电机计划在 2018 年度内投资 100 亿日元◆▼☆◁，目标在 2020 年度结束前将以电源控制芯片为中心的●=-“动力元件事业…●△-•◆”营收扩增至 2000 亿日元=•▲。

　　等实现了量产化◁◇★□▪○手扶电梯照片男子被困，，但并没有形成完整产业链▽▲，与国外的产业规模相比仍有很大差距◇◆▽，在下一个趋势到来之际=-★□，如何加速追赶亦成为头等大事◁□▽▪。根据产业向限分析▪▽，每个企业都需要双擎驱动-●◁▲，即要有现金流的成熟产业和孵化未来产业的大笔投资◁▷=。既然SiC◆◇▪、GaN的未来已来▽◆△，国内厂商在回归到技术和

　　的电子从价带炸毁到导带所需的能量●-▽▽★：而在硅的情况下…▽=▲，该能量为1▼☆.1eV★•★◆，

　　文章出处•★：【微信号○▷：iawbs2016▪▽◁，微信公众号=◇★◆…：宽禁带半导体技术创新联盟】欢迎添加关注•●●•▷多少钱一吨（钼金属），！文章转载请注明出处●◁○。

　　将达 2017 年的 8=….3 倍◇□◆□；将使用SiC的电源控制芯片产能扩增至 16 倍△▽。GaN预估为 78 亿人民币▲■▲…▷。

　　随着GaN制造工艺在不断进步△-▷•◇，将极大降低GaN的成本■□，进一步助推其应用●•◆★☆■九游会半导体材料的代表_Ga，挤占以往砷化镓（GaAs）市场•--。

　　GaN与SiC同为第三代半导体材料双雄▼□，并且并行不悖九游会●★•。有专家认为▼▽◁，SiC主攻高压器件●■，GaN是中压•=•◁☆▼，即100W~1200W则可选择GaN-■，1200W以上则采用SiC◆-●◁-。

　　▽•…□★◆、恩智浦○☆▽○▷、安森美-△、ST▪◆▷•、德州仪器…▽○△○、罗姆☆◁◇=•、TDK松下△□•▼•、东芝=▲▼、等实力选手也纷纷加入战局◇○□-…。在国内中•■▪，也有包括矽力杰◆-○☆…、晶丰△★=●-、士兰微◆…-=、芯朋微▷…、东科九游会◆▷□★、比亚迪等战将•-，但显然这一市场仍以日美欧厂商为主角○▷-。在未来需要重新跑马圈地的时代■▪▷•◆○，一方面要注意…•★◆□，SiC☆△•▷、GaN市场的增长将为模组厂商•△▼△==、材料供应商◇□、测试厂商▲◇▽◇▷、制造厂商等多种不同厂商提供市场机会▼○◆◆☆，并在该领域价值链上寻找自己的位置▷▲◁。这将打破原有产业链▪▪○，为不同厂商创造新的洗牌机会△•△★…；另一方面□◁▲◇▲，国内厂商只在某些器件如 SiC

　　性能竞争的常规市场竞争●-“轨道★☆★◇”上★==◁，亦需要加紧备战▽•□◇▪◆，在研发◁◆★◇☆◆、制程□◁▲◆◁▷、封装等方面不断投入和加码•▷，这样才不会在浪潮到来之际再失良机▼•□=■。